iPS細胞完全培養(yǎng)基

貨號：H-A001

規(guī)格：500mL

儲存條件：基礎(chǔ)培養(yǎng)基2 ~ 8℃，添加劑-80 ~ -20℃；混勻后2 ~ 8℃，2周內(nèi)使用完畢。

產(chǎn)品簡介：

iPS細胞培養(yǎng)基是上海慧穎生物科技有限公司引進開發(fā)出的一種適用于無飼養(yǎng)層培養(yǎng)、化學(xué)成分明確、并且不含動物源蛋白的人多潛能干細胞（hESC/hiPSC）完全培養(yǎng)基。iPS細胞培養(yǎng)基是在James Thomson實驗室開發(fā)的Essential 8培養(yǎng)基的基礎(chǔ)上，由上海慧穎生物科技有限公司改良研發(fā)出的最新型多潛能干細胞完全培養(yǎng)基。hESC/hiPSC在iPS細胞培養(yǎng)基中可以快速增殖，而分化的細胞則無法在該培養(yǎng)基中生長，從而選擇性擴增并獲得高純度多潛能干細胞。

產(chǎn)品內(nèi)容：

試劑準備：

iPS細胞完全培養(yǎng)基：將iPS細胞添加劑加入iPS細胞基礎(chǔ)培養(yǎng)基中形成iPS細胞完全培養(yǎng)基（推薦每2mL添加劑與50mL基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合）。

iPS細胞完全培養(yǎng)基可在2-8℃穩(wěn)定儲存2-3周。

疑難解答：

?是否還需要往iPS細胞完全培養(yǎng)基中補充或添加成分？

不需要。iPS細胞培養(yǎng)基中各個成分的質(zhì)量和濃度都經(jīng)過了最優(yōu)化實驗，完全支持人ESC/iPSC的長期培養(yǎng)，您無需再自行添加。

?培養(yǎng)基中有沉淀狀物質(zhì)是否是質(zhì)量問題？

添加劑在解凍過程中，若有少量沉淀析出，屬于正常現(xiàn)象，不影響使用，請充分混勻后與基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合。但添加劑不能在37℃解凍，否則會析出大量沉淀，影響培養(yǎng)基的效價。如果培養(yǎng)基中出現(xiàn)大量沉淀，請不要使用。

?是否能在37 ℃反復(fù)水浴iPS細胞完全培養(yǎng)基？

不能。頻繁地在4℃和37℃之間轉(zhuǎn)換會導(dǎo)致iPS細胞完全培養(yǎng)基中含有的因子失活，iPS細胞完全培養(yǎng)基在使用前平衡至室溫即可。

? iPS細胞在傳代后不貼壁怎么解決？

造成iPS傳代后不貼壁的最可能的原因：

① 細胞消化時間不合適；②消化后吹打次數(shù)不合適，使得完成傳代后細胞集落過大或過小。

? iPS分化怎么處理？

①細胞在剛復(fù)蘇或傳代時，小的細胞團不呈現(xiàn)標準的克隆形態(tài)，培養(yǎng)幾天或傳代后可恢復(fù)。②如果iPS分化的表現(xiàn)為干細胞克隆形態(tài)良好，克隆周邊出現(xiàn)散在的分化細胞，可通過高比例傳代（≥1:10），使得分化細胞的密度減少，低密度的分化細胞可被iPS培養(yǎng)體系篩選去除，如未完全去除，可用細胞刮或巴斯德管刮除。

③如果iPS分化的表現(xiàn)為克隆內(nèi)部松散，邊緣不平滑，在分化比例小或分化不嚴重的情況下，可通過連續(xù)傳代2 ~ 3次恢復(fù)，如果分化嚴重，建議棄除。

? 細胞復(fù)蘇率低是什么原因？

細胞復(fù)蘇需使用iPS細胞復(fù)蘇培養(yǎng)基，可大大提高細胞的復(fù)蘇效率。復(fù)蘇過程中，轉(zhuǎn)移細胞、吹打混勻和重懸細胞時，吹打力度要輕柔，并盡量減少吹打次數(shù)，細胞接種后，即刻在顯微鏡下觀察細胞團塊的大小，4 ~ 10個細胞的團塊為最佳。如果吹打力度過大或次數(shù)過多，

導(dǎo)致細胞分散成單細胞，細胞復(fù)蘇率將偏低。